ROHM досрочно создала SiC-транзисторы нового поколения — на 2 года раньше


Японская компания ROHM сообщила о досрочном выполнении одной из ключевых технических задач в рамках масштабного проекта по созданию цифровой инфраструктуры следующего поколения. Речь идет о разработке 8-дюймовых полупроводниковых МОП-транзисторов нового поколения, причем поставленная цель была достигнута на целых два года раньше запланированного срока. Реализация данного проекта ведется при поддержке Фонда зеленых инноваций совместно с Организацией