В пятницу компания Rapidus объявила о начале прототипирования тестовых пластин с 2-нм транзисторными структурами GAA (gate-all-around) на своем предприятии IIM-1 в Японии. Компания подтвердила, что ранние тестовые пластины уже достигают ожидаемых электрических характеристик, что означает, что оборудование компании работает в соответствии с планом, а разработка технологического процесса проходит успешно. Тестовые пластины над фабрикой Создание... Читать далее
Все новости:
teh.mmgp.com
355773
Загрузка...