Сообщения о достижении исследователей из imec и Гентского университета, вырастивших 120 чередующихся слоев кремния (Si) и кремний-германия (SiGe) на 300-миллиметровой подложке, требуют критического анализа. Утверждается, что это шаг к созданию трехмерной DRAM, но без детальных данных о характеристиках структуры и ее применении выводы остаются спекулятивными. Сравнение с построением башни из тонких, склонных к деформации листов материала звучит эффектно, но... Читать далее
Все новости:
teh.mmgp.com
198802
Загрузка...