Японская Toshiba сообщила о создании сразу двух решений для gate-драйверов нового поколения, которые должны раскрыть потенциал силовых приборов на карбиде кремния (SiC). По словам разработчиков, такие схемы помогут сделать системы электропитания более эффективными и компактными, что особенно важно для инверторов электромобилей и для оборудования центров обработки данных. Нужно напомнить, что SiC-устройства заметно превосходят классические кремниевые
Все новости:
cenyavto.com
65095
Загрузка...